RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Porównaj
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs AMD R7416G2133U2S 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
AMD R7416G2133U2S 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
56
78
Wokół strony 28% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
AMD R7416G2133U2S 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.7
1,813.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
78
Prędkość odczytu, GB/s
4,387.7
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,813.5
6.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
693
1594
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
AMD R7416G2133U2S 16GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link