RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Сравнить
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB против AMD R7416G2133U2S 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Средняя оценка
AMD R7416G2133U2S 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
56
78
Около 28% меньшая задержка
Выше скорость чтения
4
13.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
AMD R7416G2133U2S 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
6.7
1,813.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
56
78
Скорость чтения, Гб/сек
4,387.7
13.5
Скорость записи, Гб/сек
1,813.5
6.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
693
1594
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Сравнения RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
AMD R7416G2133U2S 16GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KF548C38-16 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link