RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Porównaj
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
56
Wokół strony -87% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
1,813.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,387.7
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,813.5
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
693
3014
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link