RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Comparar
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Pontuação geral
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
56
Por volta de -87% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.0
1,813.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
56
30
Velocidade de leitura, GB/s
4,387.7
17.1
Velocidade de escrita, GB/s
1,813.5
13.0
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
693
3014
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparações de RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link