RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
39
Wokół strony 33% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
39
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2600
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMT41GS6DFR8A-PB 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link