RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
39
Por volta de 33% menor latência
Razões a considerar
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.5
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.6
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
39
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
10.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
2600
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link