RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
39
Wokół strony 33% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
39
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2159
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Kingston 9965525-010.A00LF 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link