RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
26
Wokół strony -44% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.7
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
18
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
19.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3597
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link