RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
26
Около -44% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.7
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.2
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
18
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
19.7
Скорость записи, Гб/сек
9.0
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
3597
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB Сравнения RAM
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link