Porównanie pamięci RAM Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Wynik ogólny

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Powody do rozważenia
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

31 49

Wokół strony -58% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

20.5 10.9

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

15.5 8.7

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

25600 17000

Wokół strony 1.51 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara

14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

2427 3649

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns