RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
49
Wokół strony -113% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
23
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2465
2575
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link