RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
52
Wokół strony -117% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.2
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
24
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
20.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2179
3744
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Kingmax Semiconductor FLGG45F-E8K3B 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link