RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avexir Technologies Corporation William Hemmens 4GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Avexir Technologies Corporation William Hemmens 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation William Hemmens 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation William Hemmens 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
44
Wokół strony -159% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.3
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
12800
10600
Wokół strony 1.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avexir Technologies Corporation William Hemmens 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
44
17
Prędkość odczytu, GB/s
11.2
19.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
12800
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2293
3376
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Porównanie pamięci RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Avexir Technologies Corporation William Hemmens 4GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link