RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
44
Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.8
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
32
Prędkość odczytu, GB/s
11.2
11.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2293
2585
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Porównanie pamięci RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Panram International Corporation M424051 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link