RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Porównaj
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
47
Wokół strony -147% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.5
10.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
19
Prędkość odczytu, GB/s
10.4
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2169
3355
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link