RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
54
63
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
63
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
1863
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link