RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
7.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
50
54
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.4
9.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
50
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
13.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
1976
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Lenovo 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link