RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
42
Wokół strony -110% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.9
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
20
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
18.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3244
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link