RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
13.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
104
Wokół strony -259% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3401
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Kingston ACR16D3LS1KFG/4G 4GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link