RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
22.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
18.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
104
Wokół strony -512% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
17
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
22.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
18.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3847
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link