RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Gesamtnote
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
22.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
18.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
17
104
Rund um -512% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
104
17
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,192.0
22.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
18.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
786
3847
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BY-3C 1GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link