RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
12.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
104
Wokół strony -189% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
36
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3074
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kllisre 0000 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link