RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
10.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
104
Wokół strony -206% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
2,404.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
34
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
10.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
2237
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link