RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
65
104
Wokół strony -60% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
8.5
3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
5.8
2,404.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
65
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
8.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
5.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
1981
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link