RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
16.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
104
Wokół strony -206% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
34
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
16.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3616
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston K531R8-ETF 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link