RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Porównaj
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,072.7
15.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
75
Wokół strony -188% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
26
Prędkość odczytu, GB/s
2,730.3
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,072.7
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
3486
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5160QZ4-CE65 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link