RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Porównaj
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,072.7
11.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
75
Wokół strony -127% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
33
Prędkość odczytu, GB/s
2,730.3
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,072.7
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
2913
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5160QZ4-CE65 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link