RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
69
71
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
71
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
1773
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link