RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
69
Wokół strony -92% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
36
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
3035
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Kingston KHX1600C10D3/8G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link