RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
69
Wokół strony -188% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.2
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
4152
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
KingSpec KingSpec 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link