RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
10.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
69
Wokół strony -116% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
10.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
2349
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link