RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
69
Wokół strony -156% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.8
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
27
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
17.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
3963
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link