RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Porównaj
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
50
Wokół strony -61% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.3
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.2
10.9
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
31
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
20.3
Prędkość zapisu, GB/s
10.9
18.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2512
3738
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Team Group Inc. 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
A-DATA Technology AM1L16BC4R1-B1MS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link