RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Сравнить
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB против G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
50
Около -61% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.3
15.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.2
10.9
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
31
Скорость чтения, Гб/сек
15.3
20.3
Скорость записи, Гб/сек
10.9
18.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2512
3738
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Сравнения RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Kingston 9905403-003.B00LF 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Inmos + 256MB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link