RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
53
Wokół strony 28% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
10.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20
15.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
53
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
2440
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBSR 4GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link