RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
11.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
38
Wokół strony -52% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
15.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
25
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
2164
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link