RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
11.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
38
Wokół strony -23% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
31
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
2330
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
A-DATA Technology AM1L16BC2P1-B1FS 2GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link