RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
8.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
38
Wokół strony -41% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
27
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
2186
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link