RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Porównaj
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
45
Wokół strony -150% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
11.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.3
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
18
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
16.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2077
3575
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link