RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Porównaj
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
6.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
44
Wokół strony -83% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
24
Prędkość odczytu, GB/s
13.0
12.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
6.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2069
1433
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link