RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
45
Wokół strony -88% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.7
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.6
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
24
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
22.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
18.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
4202
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link