RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
48
Wokół strony -55% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.8
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
31
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
9.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
2888
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link