RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
47
Wokół strony -62% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.1
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
29
Prędkość odczytu, GB/s
9.3
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
16.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1413
3748
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link