RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Comparar
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
47
Por volta de -62% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.2
9.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.1
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
47
29
Velocidade de leitura, GB/s
9.3
18.2
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
16.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1413
3748
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link