RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
35
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
35
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
3306
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link