Porównanie pamięci RAM Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB

Wynik ogólny

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

30 71

Wokół strony 58% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

10.6 6.1

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

6.8 4.8

Średnia wartość w badaniach

Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB

Wyższa przepustowość pamięci, mbps

10600 8500

Wokół strony 1.25 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Taktowanie / szybkość zegara

7-7-7-20 / 1066 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

1479 1092

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns