RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
37
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8500
Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
37
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
21300
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
3373
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link