RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
35
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.7
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
35
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
2731
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Apacer Technology 78.A1GA0.9L4 2GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link