RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
36
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
36
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
2570
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Corsair CMT32GX5M2X5600C36 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link