RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
30
Wokół strony -58% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.9
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
19
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
20.9
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
3801
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link