RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
30
Wokół strony -58% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.9
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
19
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
20.9
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
3801
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link